Hersteller Produktnummer:
IPU09N03LA G
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPU09N03LA G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 25 V 50A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-21
Inventar:
12805673
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IPU09N03LA G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 20µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1642 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
63W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO251-3-21
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
IPU09N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,500
Andere Namen
IPU09N03LAGIN
IPU09N03LAGIN-NDR
SP000017511
IPU09N03LAIN-DG
IPU09N03LA
IPU09N03LAGXTIN-DG
IPU09N03LAGXTIN
IPU09N03LAGX
IPU09N03LAIN
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRF6616TR1PBF
MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET
IRFS7762TRLPBF
MOSFET N-CH 75V 85A D2PAK
IRFH5106TR2PBF
MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
